سامسونگ در نظر دارد تا تولید انبوه ماژولهای ۸ گیگابیتی DDR4 را از نیمهی دوم سال ۲۰۱۹ آغاز کند. کرهایها با این ماژول نسل آتی سرورهای سازمانی و کامپیوترهای بالارده را هدف گرفتهاند. ماژولهای ۱۰ نانومتری جدید، کوچکترین فرایند تولید را در بین تمام حافظهها را دارند، نسبت به نسخهی پیشین موسوم به 1y-nm بالغ بر ۲۰ درصد بهرهوری تولید را ارائه میدهند و مرز راهکارهای DRAM با عملکرد و بهرهوری انرژی بالا را به جلوتر میرانند.
ناگفته نماند که در تولید حافظههای DRAM نسل سومی از فرایند تولید EUV استفاده نمیشود و بدین ترتیب مقیاسپذیری حافظههای DRAM بیشازپیش افزایش پیدا میکند. براساس پیشبینیها سامسونگ، حافظهی نسل سومی DDR4 راه را برای نسل آتی رابطهای DRAM، نظیر DDR5 ،LPDDR5 و GDDR6 نیز هموار خواهد کرد. کرهایها ماژولهای جدید را تنها پس از گذشت ۱۶ ماه از آغاز تولید انبوه حافظههای ۱۰ نانومتری نسل دومی DDR4 توسعه دادهاند.
جونگ-به لی، قائممقام اجرایی واحد تولید DRAM در سامسونگ میگوید:
تعهد ما برای پشتسر گذاشتن
درباره این سایت